Трафарет для ниткографии: Ниткография, ниткопись, изонить на занятиях по рисованию в старшей группе детского сада
Рисунки точками в чат — 74 фото
Рисунки
Рисунки из символов
Символьная Графика
Точечный узор
Символьный рисунок
Рисунки символами
Рисунки из знаков
Изображение из точек
Псевдографика Мона Лиза
Картины из символов
Рисунки символами
Символьная Графика
Точечная Графика
Точки для фотошопа
Череп из символов
Символьный рисунок
Рисунки из знаков
Векторный круг из точек
Композиция из точек
Орнамент из точек
Узор из точек
Псевдографика Мона Лиза
Абстракция в технике пуантилизм
Точечная текстура для иллюстрации
Бен Гейне пуантилизм
Орнамент точками
Изображение из точек
Морской конек пуантилизм
Точечный трафарет кошечка
Паттерн halftone
Точечная роспись трафареты
Рисование точками
Точечная живопись пуантилизм
Фактура точек вектор
Линия из точек на прозрачном фоне
Точечные рисунки контуром
Фон точки
Портрет из точек
Фактура точки
Аниме ФОНК
Точечная роспись по стеклу трафареты
Рисунки точками гелевой ручкой
Точечная техника рисования карандашом
Картина из цифр
Облако с пунктиром
Рисование по точкам для детей
Трафарет для вышивки изонитью
Пуантилизм морские обитатели
Растровая точка
Рисование по цифрам сложные
Трафареты для вышивки
Дженна Пресли медсестра
Рисование по точкам сложные
Сова трафарет
Соединить по цифрам
Картины из символов
Паттерн мелкие точки
Схемы для ниткографии
Vertical Dots latex
Спираль из кругов
Трафареты для точечной росписи контурами
Мандала по точкам
Пуантилизм линером
Рисунки символами
Гранжевая текстура точечки
Рисование по точкамсложне
Соедини точки для взрослых
Пинтерест пуантилизм
Узор из точек
Рисование по точкам сложные
Сетка из точек
Рисование по контуру для детей
Оцени рисунки:
Комментарии (0)
Оставить комментарий
Жалоба!
Другие фото по теме::
- Аниме
- Спрайты
- Рисунки
- Обои
- Поделки
- Арт
- Картинки
- Фоны
- Острова
- Небо
- Деревья
- Природа
- Водопады
- Горы
- Озера
- Реки
- Лес
- Море
- Цветы
- Растения
- Времена года
- Дизайн
- Вкусняшки
- Стиль
- Животные
- Картинки
Точечные раскраски — 83 фото
Обводка рисунка по точкам
Рисование по точкам для детей
Раскраска по точкам
Рисование по точкам для детей
Рисование по точкам
Раскраски обводилки для малышей
Рисование по точкам
Рисование по точкам цветы
Принцесса по точкам
Обвести для малышей
Обведи по точкам для малышей
Пунктирные линии обводить детям
Обвести по точкам для дошкольников
Соединить по точкам
Рисование по контуру для детей
Рисование по точкам
Рисование по точкам
Рисование по точкам
Обведи по точкам
Раскраска. Солнышко
Рисование по точкам
Рисование цветов по точкам
Раскраска дорисуй
Цветы обвести по точкам
Рисование по точкам
Обвести по контуру для детей 5 лет
Трафареты для обводки
Точечное рисование для детей
Рисование по точкам для малышей
Рисование по точкам для дошкольников
Раскраски обводилки
Рисование по точкам
Обводить животных по точкам детям
Машинки по точкам
Морские животные по точкам
Рисунок точками
Рисование по контуру для детей
Раскраска по точкам
Раскраска по точкам
Рисование по точкам человечек
Раскрашивание по точкам для детей
Рисование мандалы по точкам
Соединить по цифрам
Машина по точкам для детей
Насекомые по точкам для дошкольников
Рисование точками для детей
Соединять точки для детей
Трафареты для ниткографии для детей
Обводилки для малышей 2-3 лет
Принцесса по точкам
Фрукты по точкам
Точечное рисование для детей
Точечная роспись по стеклу трафареты
Раскраски обводилки по цифрам
Соединение по точкам для детей
Ребенок обводит по контуру
Лошадь по точкам
Обводить для моторики для детей
Обводить животных по точкам детям
Рисование по точкам для дошкольников
Рисование по точкам
Рисование по точкам для девочек
Раскраски обводилки по цифрам
Соедини по цифрам машина
Обводки для детей 5 лет
Обвести картинку по цифрам
Обводилки для детей
Обводки для малышей
Обводки для детей 4 лет
Бабочка обводка
Рисование цветов по точкам
Обводки по трафарету для детей
Рисование по точкам цветы
Соединить по точкам
Раскраска по точкам
Раскраски обводилки по цифрам
Рисование по точкам
Задания для дошкольников обвести по точкам
Соединить по точкам
Обвести картинку по цифрам
Рисование по точкам для детей
Рисование по точкам для детей
Трафаретная литография ‒ LMIS1 ‐ EPFL
Наша цель состоит в том, чтобы раздвинуть границы нанесения рисунка на поверхность теневой маски для достижения более мелких структур (> 50 нм) и масштабирования до более крупных подложек. Мы стремимся найти решения таких проблем, как засорение апертуры, размытие, вызванное зазором, и поверхностная диффузия. Далее мы разрабатываем так называемый инструмент динамического трафарета, в котором теневая маска перемещается относительно подложки.
Трафаретная литография
Трафарет изготовлен и совмещен с подложкой | Подложка и трафарет помещаются в испаритель | Трафарет снимается, остается узорчатая подложка |
Трафаретная литография — это метод теневой маски с высоким разрешением, используемый для структурирования поверхностей в микро- и нанометровом масштабе. Это одноэтапный метод, исключающий этапы обработки, связанные с резистом, которые обычно используются в стандартной литографии. Трафарет (мембрана с отверстиями) помещается (при необходимости выравнивается) и прижимается к подложке. Зажатый набор помещается в испаритель, и материал наносится через отверстия трафарета на подложку.
Трафаретная литография применяется для осаждения, травления и имплантации.
Динамическая литография трафарета состоит из движения трафарета относительно подложки во время осаждения или между этапами осаждения. Это позволяет производить на месте многослойные микро- и наноструктуры из нескольких материалов.
Ключевые слова : трафарет, трафаретная литография
Публикации
Трафарет Nanobridge, позволяющий создавать тонкие металлические пленки произвольной формы с высоким разрешением на различных подложках
Y-C. Солнце; Г. Боэро; J. Brugger
Advanced Materials Technologies . 2022-12-04. DOI: 10.1002/admt.202201119.
Подробная запись
Посмотреть у издателя
Растяжимые проводники, изготовленные трафаретной литографией и центробежным силовым моделированием жидкого металла
Y-C. Солнце; Г. Боэро; J. Brugger
ACS Applied Electronic Materials . 2021-11-29. Том. 3, номер. 12, с. 5423–5432. DOI: 10.1021/acsaelm.1c00884.
Рост двумерных массивов MoS2 большой площади в заранее определенных местах с использованием литографии с трафаретной маской
И. Шарма; Ю. Батра; В. Флоро; Дж. Брюггер; Б. Р. Мехта
Журнал нанонауки и нанотехнологий . 01.03.2018. Том. 18, номер. 3, с. 1824-1832 гг. DOI: 10.1166/jnn.2018.14265.
Выращивание тонких пленок органических полупроводников с многомикронным размером домена и изготовление органических транзисторов с использованием трафаретного наносита
П. Фесенко; В. Флоро; С. Се; Э. Канг; Т. Уэмура и соавт.
Прикладные материалы и интерфейсы ACS . 2017. Том. 9, номер. 28, с. 23314–23318. DOI: 10.1021/acsami.7b06584.
Массивы монокристаллов пентацена методом трафаретного испарения
П. Фесенко; В. Флоро; С. Се; Дж. Брюггер; J. Genoe и соавт.
Рост и дизайн кристаллов . 2016. Том. 16, с. 4694−4700. DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00765.
Изучение наноразмерных электрических свойств устройства памяти с гибридным интерфейсом на основе CuO-графена с помощью кондуктивной атомно-силовой микроскопии
Б. Сингх; Б. Мехта; Д. Варандани; А. В. Саву; J. Brugger
Журнал нанонауки и нанотехнологий . 2016. Том. 16, номер. 4, с. 4044-4051. DOI: 10.1166/jnn.2016.10713.
Подробная запись
Посмотреть в издательстве
Крупномасштабные массивы наноапертурных антенн Bowtie для наноразмерной динамики в мембранах живых клеток
В. Флоро; Т. С. ван Зантен; М. Мивель; К. Манзо; М. Ф. Гарсия Парахо и др.
Нанобуквы . 2015. Том. 15, номер. 6, с. 4176-4182. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b01335.
Изготовление сложных оксидных микроструктур методом комбинаторного химического осаждения из паровой фазы через трафареты
E. Wagner; К. С. Санду; С. Харада; Г. Бенвенути; В. Саву и соавт.
Тонкие твердые пленки . 2015. Том. 586, с. 64-69. DOI: 10.1016/j.tsf.2015.04.021.
Подробная запись
Просмотр в издательстве
Селективный рост площади и трафаретная литография для квантовых устройств, изготовленных на месте
- Артикул
- Опубликовано:
- Петер Шюффельген
ORCID: orcid.org/0000-0001-7977-7848 1,2 na1 , - Даниэль Розенбах 1,2 na1 ,
- Чуань
- Тобиас В. Шмитт 1,4 ,
- Михаэль Шленфойгт 1 ,
- Абдур Р. Джалил 1 ,
- Сара Шмитт 1 ,
- Йонас Кёльцер 1 ,
- Бенджа Ванг 12 5 9013 мин Беннеманн 1 ,
- Умут Парлак 1 ,
- Лидия Кибкало 1 ,
- Стефан Трелленкамп 6 ,
- Томас Грэп 7 ,
- Дорис Меертенс 1 59093 4 , 59093 0126 Мартина Луйсберг
ORCID: orcid.org/0000-0002-5613-7570 1 ,
- Грегор Мюсслер 1,2 ,
- Эрвин Береншот 3 ,
- Нильс Тас 3 ,
- Александр Бринкман 3 ,
- Томас Шеперс 1,2 &
- Грютхермалев
5 …
4 …
4 1,2
3 Li
9012 Александр Голубов
ORCID: orcid.org/0000-0001-5085-5195 3 ,
Природа Нанотехнологии
том 14 , страницы 825–831 (2019)Процитировать эту статью
8427 Доступ
56 цитирований
26 Альтметрический
Сведения о показателях
Субъекты
- Квантовая информация
- Сверхпроводящие устройства
- Поверхности, интерфейсы и тонкие пленки
- Топологические изоляторы
- Топологическая материя
Abstract
Взаимодействие физики Дирака и индуцированной сверхпроводимости на границе трехмерного топологического изолятора (TI) с s-волновым сверхпроводником (S) обеспечивает новую платформу для топологически защищенных квантовых вычислений, основанных на неуловимых майорановских модах. Чтобы использовать такие гибридные устройства S-TI в будущих архитектурах топологических квантовых вычислений, требуется процесс, позволяющий производить устройства в условиях сверхвысокого вакуума. Здесь мы сообщаем о селективном росте площади (Bi,Sb) 2 Te 3 Тонкие пленки TI и трафаретная литография сверхпроводящего Nb для полного изготовления на месте гибридных устройств S-TI методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве последнего шага был нанесен диэлектрический покрывающий слой для защиты хрупких поверхностей гибридов S-TI в условиях окружающей среды. Транспортные эксперименты в готовых джозефсоновских переходах показывают очень прозрачные интерфейсы S – TI и отсутствие первого шага Шапиро, что указывает на наличие майорановских связанных состояний. Чтобы перейти от одиночных переходов к сложным схемам для будущих архитектур топологических квантовых вычислений, мы монолитно интегрировали две выровненные жесткие маски в подложку перед ростом. Представленный процесс предоставляет новые возможности для преднамеренного объединения тонких квантовых материалов на месте в наномасштабе.
Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение
Соответствующие статьи
Статьи открытого доступа со ссылками на эту статью.
Микроволновая спектроскопия андреевских состояний в гибридных переходах на основе нанопроволок InAs с использованием компоновки флип-чипа
- Патрик Зеллекенс
- , Рассел С. Дикон
- … Коджи Исибаши
Физика коммуникаций
Открытый доступ
31 октября 2022 г.Невзаимный перенос заряда в гетероструктуре кандидата в топологические сверхпроводники Bi2Te3/PdTe2
- Макото Масуко
- , Минору Кавамура
- … Ёсинори Токура
npj Квантовые материалы
Открытый доступ
30 октября 2022 г.Индуцированная близостью сверхпроводимость в нанопроволоках топологического изолятора (Bi1−xSbx)2Te3
- Мэнмэн Бай
- , Сянь-Куй Вэй
- … Ёити Андо
Материалы для связи
Открытый доступ
12 апреля 2022 г.
Варианты доступа
Подпишитесь на этот журнал
Получите 12 печатных выпусков и онлайн-доступ
269,00 € в год
всего 22,42 € за выпуск
Узнать больше
Взять напрокат или купить эту статью
Получите только этот товар столько, сколько вам нужно
$39,95
Узнать больше
Цены могут облагаться местными налогами, которые рассчитываются при оформлении заказа
Рис. 1: Схема перекрестка S–TI–S. Рис. 2: JJ, изготовленные на месте. Рис.3: Зависимость отклика Шапиро устройства 1 от частоты при Тл = 1,5 К Рис.4: Для применения трафаретной технологии к сетям наноструктур рост TI должен быть ограничен только выбранными областями . Рис. 5: Комбинированный процесс на месте.
Доступность данных
Данные, подтверждающие графики в этой статье и другие результаты этого исследования, можно получить у соответствующего автора по обоснованному запросу.
Ссылки
König, M. et al. Состояние холловского изолятора квантового спина в квантовых ямах HgTe. Наука 318 , 766–770 (2007).
Артикул
Google Scholar
«>Hsieh, D. et al. Наблюдение нетрадиционных квантовых спиновых текстур в топологических изоляторах. Наука 323 , 919–922 (2009).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Zhang, H. et al. Топологические изоляторы из Bi 2 Se 3 , Bi 2 Te 3 и Sb 2 Te 3 с одиночным конусом Дирака на поверхности. Нац. физ. 5 , 438–442 (2009).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Фу, Л. и Кейн, К.Л. Сверхпроводящий эффект близости и майорановские фермионы на поверхности топологического изолятора.
Физ. Преподобный Летт. 100 , 096407 (2008 г.).
Артикул
Google Scholar
Кук, А. и Франц, М. Фермионы Майорана в нанопроволоке топологического изолятора, тесно связанной со сверхпроводником s-волны. Физ. Ред. В. 84 , 201105 (2011).
Артикул
Google Scholar
Кук, А., Вазифе, М. М. и Франц, М. Стабильность майорановских фермионов в нанопроволоках топологического изолятора с близкой связью. Физ. B 86 , 155431 (2012).
Артикул
Google Scholar
Манусакис, Дж., Альтланд, А., Багретс, Д., Эггер, Р. и Андо, Ю. Майорана Кубиты в архитектуре нанолент топологического изолятора. Физ. Ред. B 95 , 165424 (2017).
Артикул
Google Scholar
«>Алиса, Дж. Майорана Фермионы в перестраиваемом полупроводниковом устройстве. Физ. B 81 , 125318 (2010).
Артикул
Google Scholar
Китаев А.Ю. Отказоустойчивые квантовые вычисления Anyons. Энн. физ. 303 , 2–30 (2003).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Аасен, Д. и др. Вехи на пути к квантовым вычислениям на базе Majorana. Физ. X 6 , 031016 (2016 г.).
Google Scholar
Литински Д., Кессельринг М.С., Эйзерт Дж. и фон Оппен Ф. Объединение топологического оборудования и топологического программного обеспечения: квантовые вычисления с цветовым кодом и топологическим сверхпроводником.
Сеть. физ. X 7 , 031048 (2017 г.).
Google Scholar
Алиса Дж., Орег Ю., Рафаэль Г., Фон Оппен Ф. и Фишер М. П. Неабелева статистика и обработка топологической квантовой информации в одномерных проводных сетях. Нац. физ. 7 , 412–417 (2011).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Hyart, T. et al. Квантовые вычисления с управлением потоком на майорановских фермионах. Физ. Ред. B 88 , 035121 (2013).
Артикул
Google Scholar
ван Хек, Б., Ахмеров, А.Р., Хасслер, Ф., Баррелло, М. и Бинаккер, К.В.Дж. Сплетение майорановских фермионов с помощью Кулона в массиве джозефсоновских контактов. New J. Phys. 14 , 035019 (2012 г.).
Артикул
Google Scholar
«>Голубов А. А., Куприянов М. Ю., Ильичев Е. Соотношение ток-фаза в джозефсоновских контактах. Ред. Мод. физ. 76 , 411–469 (2004).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Домингес, Ф. и др. Динамика джозефсоновского перехода в присутствии 2 π и 4 π -периодические сверхтоки. Физ. Ред. B 95 , 195430 (2017).
Артикул
Google Scholar
Фу Л. Телепортация электронов через связанные состояния Майораны в мезоскопическом сверхпроводнике. Физ. Преподобный Летт. 104 , 056402 (2010 г.).
Артикул
Google Scholar
«>Bocquillon, E. et al. Бесщелевые андреевские связанные состояния в квантовом спиновом холловском изоляторе HgTe. Нац. нанотехнологии. 12 , 137–143 (2017).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Wiedenmann, J. et al. 4 π -периодический сверхток Джозефсона в топологических контактах Джозефсона на основе HgTe. Нац. ком. 7 , 10303 (2016).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Li, C. et al. 4 π -периодические андреевские связанные состояния в дираковском полуметалле. Нац. Матер. 17 , 875–880 (2018).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Домингес Ф., Хасслер Ф. и Платеро Г. Динамическое обнаружение майорановских фермионов в нанопроволоках с током. Физ. B 86 , 140503 (2012).
Артикул
Google Scholar
Нгабонзиза, П. и др. In situ спектроскопия тонких пленок собственного топологического изолятора Bi 2 Te 3 и воздействие внешних дефектов. Физ. Ред. B 92 , 035405 (2015).
Артикул
Google Scholar
Thomas, C.R. et al. Поверхностное окисление Bi 2 (Te,Se) 3 топологические изоляторы зависит от точности спайности. Хим. Матер. 28 , 35–39 (2016).
Артикул
КАСGoogle Scholar
«>Ланг, М. Р. и др. Выявление топологических поверхностных состояний в тонких пленках Bi 2 Se 3 методом пассивации Al in situ. ACS Nano 6 , 295–302 (2012).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Нгабонзиза, П. и др. Перестраиваемые транспортные свойства тонких пленок топологического изолятора Bi 2 Te 3 с покрытием in situ. Доп. Электронный Матер. 2 , 1600157 (2016).
Артикул
Google Scholar
Schüffelgen, P. et al. Признаки индуцированной сверхпроводимости в топологических гетероструктурах, покрытых AlO x .
Твердотельный электрон. 155 , 111–116 (2019).
Артикул
Google Scholar
Kampmeier, J. et al. Селективный рост площади Bi 2 Te 3 и Sb 2 Te 3 тонкие пленки топологического изолятора. Дж. Кристалл. Рост 443 , 38–42 (2016).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Кристиан В. и др. Фазово-когерентный транспорт в селективно выращенных наноточках топологического изолятора. Нанотехнологии 30 , 055201 (2019).
Артикул
Google Scholar
Bohg, A. & Gaind, A.K. Влияние напряжения пленки и термического окисления на образование дислокаций в кремнии. Заяв. физ. лат. 33 , 895–897 (1978).
Артикул
КАСGoogle Scholar
«>Гатак С. и др. Аномальные фраунгоферовы паттерны в закрытых джозефсоновских контактах на основе объемно-изолирующего топологического изолятора BiSbTeSe 2 . Нано Летт. 18 , 5124–5131 (2018).
Артикул
КАСGoogle Scholar
van Woerkom, D.J., Geresdi, A. & Kouwenhoven, LP. Одна минута срока службы по четности NbTiN-транзистора с куперовской парой. Нац. физ. 11 , 547–550 (2015).
Артикул
Google Scholar
Schüffelgen, P. et al. Трафаретная литография сверхпроводящих контактов на тонких пленках топологического изолятора, выращенных методом МЛЭ.
Дж. Кристалл. Рост 477 , 183–187 (2017).
Артикул
Google Scholar
Desplanque, L., Bucamp, A., Troadec, D., Patriarche, G. & Wallart, X. Плоские нанопроволоки InSb, выращенные методом селективной молекулярно-лучевой эпитаксии на полуизолирующей подложке. Нанотехнологии 29 , 305705 (2018).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Асеев П. и др. Карта селективности для молекулярно-лучевой эпитаксии усовершенствованных сетей квантовых нанопроволок III–V. Нано Летт. 19 , 218–227 (2019).
Артикул
КАСGoogle Scholar
Krizek, F. et al. Усиление полевого эффекта в буферизованных сетях квантовых нанопроволок. Физ. Преподобный мат. 2 , 093401 (2018).
КАС
Google Scholar
«>Kellner, J. et al. Настройка точки Дирака на уровень Ферми в тройном топологическом изоляторе (Bi 1– x Sb x ) 2 Te 3 . Заяв. физ. лат. 107 , 251603 (2015).
Артикул
Google Scholar
Ковач А., Ширхольц Р. и Тилманн К. FEI Titan G2 80-200 CREWLEY. J. Крупномасштабные рез. Фасил. 2 , А43 (2016).
Артикул
Google Scholar
Фу, Л., Кейн, К.Л. и Меле, Э.Дж. Топологические изоляторы в трех измерениях. Физ. Преподобный Летт. 98 , 106803 (2007 г.).
Артикул
Google Scholar
Китаев А. Ю. Неспаренные майорановские фермионы в квантовых нитях. Физ. Усп. 44 , 131–136 (2001).
Артикул
Google Scholar
Джозефсон Б.Д. Возможные новые эффекты в сверхпроводящем туннелировании. Физ. лат. 1 , 251–253 (1962).
Артикул
Google Scholar
Ле Кальвес, К. и др. Джоулев перегрев отравляет дробный переменный эффект Джозефсона в топологических переходах Джозефсона. Комм. физ. 2 , 4 (2019).
Артикул
Google Scholar
Benia, H.M., Lin, C., Kern, K. & Ast, C.R. Реактивное химическое легирование топологического изолятора Bi 2 Se 3 . Физ. Преподобный Летт. 107 , 177602 (2011).
Артикул
Google Scholar
Мурс, К. и др. Магнитотранспортные сигнатуры трехмерных наноструктур топологического изолятора. Физ. Ред. B 97 , 245429 (2018).
Артикул
КАС
Google Scholar
Kampmeier, J. et al. Подавление двойниковых доменов в тонких пленках топологического изолятора, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Bi 2 Te 3 . Кристалл. Рост Des. 15 , 390–394 (2016).
Артикул
Google Scholar
Ссылки на скачивание
Благодарности
А. Брагински и Ф. Хасслер выражают признательность за полезные обсуждения. М. Гейтнер и К.-Х. Deussen получили признание за нанесение слоев Si 3 N 4 и SiO 2 . Авторы благодарят Г. Нагду и К. Била за корректуру рукописи. Эта работа поддерживается Немецким научным фондом (DFG) в рамках приоритетной программы SPP1666 «Топологические изоляторы», а также Ассоциацией Гельмгольца через «Виртуальный институт топологических изоляторов» и проект IVF «Масштабируемые твердотельные квантовые вычисления».
Информация об авторе
Примечания автора
Эти авторы внесли равный вклад: Peter Schüffelgen, Daniel Rosenbach.
Авторы и организации
Институт Петера Грюнберга, Исследовательский центр Юлих и JARA Юлих-Аахенский исследовательский альянс, Юлих, Германия Абдур Р. Джалил, Сара Шмитт, Йонас Кёльцер, Бенджамин Беннеманн, Умут Парлак, Лидия Кибкало, Дорис Мертенс, Мартина Луйсберг, Грегор Мюсслер, Томас Шеперс и Детлев Грюцмахер
Виртуальный институт топологических изоляторов им.
Гельмгольца (VITI), Исследовательский центр Юлих, Юлих, Германия
Петер Шюффельген, Даниэль Розенбах, Менг Ван, Грегор Мюсслер, Томас Шеперс и Детлев Грюцмахер
ME +
9012 9012 ME +
9012 Институт Университета Твенте, Энсхеде, Нидерланды
Чуан Ли, Эрвин Береншот, Нильс Тас, Александр А. Голубов и Александр Бринкман
JARA-FIT Institute Green IT, RWTH Aachen University, Ахен, Германия
Tobias W. Schmitt
Государственная ключевая лаборатория функциональных материалов для информатики, Шанхайский институт микросистем и информационных технологий, Китайская академия наук, Шанхай, Китай , Германия
Штефан Трелленкамп
Институт полупроводниковой электроники, Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена, Ахен, Германия
Томас Грап
Авторы
- Peter Schüffelgen
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Daniel Rosenbach
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Chuan Li
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Академия - Тобиас В.
Шмитт
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Michael Schleenvoigt
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Абдур Р. Джалил
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Академия - Сара Шмитт
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Jonas Kölzer
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Meng Wang
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Бенджамин Беннеманн
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Umut Parlak
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Лидия Кибкало
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Stefan Trellenkamp
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Thomas Grap
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Doris Meertens
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Martina Luysberg
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Академия - Gregor Mussler
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Erwin Berenschot
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Niels Tas
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Голубов Александр Александрович
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Александр Бринкман
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Thomas Schäpers
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar - Detlev Grützmacher
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в
PubMed Google Scholar
Вклады
PS, DR, TWS, M.
S. и Э.Б. Изготовление подложек в чистой комнате. С.Т. выполнил электронно-лучевую литографию. P.S., M.S., ARJ, S.S., M.W. и G.M. выращивал тонкие пленки TI с помощью MBE. BB вырастил сверхпроводящий Nb. ВВЕРХ. закрыл образец стехиометрическим Al 2 O 3 . P.S., Д.Р., К.Л. и T.W.S. выполнил измерения электрического транспорта на устройствах Джозефсона. Д.Р. и Дж.К. исследовал магнитотранспорт на стержнях Холла. Т.Г. снял трафаретную маску механической полировкой. Л.К., Д.М. и М.Л. подготовили ламели сфокусированного ионного пучка и выполнили измерения с помощью сканирующей просвечивающей электронной микроскопии с высоким разрешением. А.Б. и А.А.Г. выполнили примерку по Эйленбергеру и Узаделу. P.S., Д.Р. и А.Б. написал статью с участием всех соавторов. P.S. инициировал проект, которым руководили Н.Т., А.А.Г., А.Б., Т.С. и Д.Г.
Автор, ответственный за переписку
Переписка с
Питер Шюффельген.Заявление об этике
Конкурирующие интересы
Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.
Дополнительная информация
Информация для рецензирования: Nature Nanotechnology благодарит Торстена Карцига и других анонимных рецензентов за их вклад в рецензирование этой работы.
Примечание издателя: Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и институциональной принадлежности.
Дополнительная информация
Дополнительная информация
Дополнительная информация Рис. 1–8 и дополнительную таблицу 1.
Права и разрешения
Перепечатка и разрешения
Об этой статье
Эта статья цитируется
Невзаимный перенос заряда в гетероструктуре кандидата в топологические сверхпроводники Bi2Te3/PdTe2
- Макото Масуко
- Минору Кавамура
- Ёсинори Токура
нпдж Квантовые материалы (2022)
Индуцированная близостью сверхпроводимость в нанопроволоках топологического изолятора (Bi1−xSbx)2Te3
- Мэнмэн Бай
- Сиань-Куй Вэй
- Ёити Андо
Материалы для связи (2022)
Микроволновая спектроскопия андреевских состояний в гибридных переходах на основе нанопроволок InAs с использованием компоновки флип-чипа
- Патрик Зеллекенс
- Рассел С.
- Home
- Menu
- Login / SignupMy account Account
- Cart