Трафарет для ниткографии: Ниткография, ниткопись, изонить на занятиях по рисованию в старшей группе детского сада

Содержание

Рисунки точками в чат — 74 фото

Рисунки

Рисунки из символов

Символьная Графика

Точечный узор

Символьный рисунок

Рисунки символами

Рисунки из знаков

Изображение из точек

Псевдографика Мона Лиза

Картины из символов

Рисунки символами

Символьная Графика

Точечная Графика

Точки для фотошопа

Череп из символов

Символьный рисунок

Рисунки из знаков

Векторный круг из точек

Композиция из точек

Орнамент из точек

Узор из точек

Псевдографика Мона Лиза

Абстракция в технике пуантилизм

Точечная текстура для иллюстрации

Бен Гейне пуантилизм

Орнамент точками

Изображение из точек

Морской конек пуантилизм

Точечный трафарет кошечка

Паттерн halftone

Точечная роспись трафареты

Рисование точками

Точечная живопись пуантилизм

Фактура точек вектор

Линия из точек на прозрачном фоне

Точечные рисунки контуром

Фон точки

Портрет из точек

Фактура точки

Аниме ФОНК

Точечная роспись по стеклу трафареты

Рисунки точками гелевой ручкой

Точечная техника рисования карандашом

Картина из цифр

Облако с пунктиром

Рисование по точкам для детей

Трафарет для вышивки изонитью

Пуантилизм морские обитатели

Растровая точка

Рисование по цифрам сложные

Трафареты для вышивки

Дженна Пресли медсестра

Рисование по точкам сложные

Сова трафарет

Соединить по цифрам

Картины из символов

Паттерн мелкие точки

Схемы для ниткографии

Vertical Dots latex

Спираль из кругов

Трафареты для точечной росписи контурами

Мандала по точкам

Пуантилизм линером

Рисунки символами

Гранжевая текстура точечки

Рисование по точкамсложне

Соедини точки для взрослых

Пинтерест пуантилизм

Узор из точек

Рисование по точкам сложные

Сетка из точек

Рисование по контуру для детей

Оцени рисунки:

Комментарии (0)

Оставить комментарий

Жалоба!

Другие фото по теме::

  • Аниме
  • Спрайты
  • Рисунки
  • Обои
  • Поделки
  • Арт
  • Картинки
  • Фоны
  • Острова
  • Небо
  • Деревья
  • Природа
  • Водопады
  • Горы
  • Озера
  • Реки
  • Лес
  • Море
  • Цветы
  • Растения
  • Времена года
  • Дизайн
  • Вкусняшки
  • Стиль
  • Животные
  • Картинки

Точечные раскраски — 83 фото

Обводка рисунка по точкам

Рисование по точкам для детей

Раскраска по точкам

Рисование по точкам для детей

Рисование по точкам

Раскраски обводилки для малышей

Рисование по точкам

Рисование по точкам цветы

Принцесса по точкам

Обвести для малышей

Обведи по точкам для малышей

Пунктирные линии обводить детям

Обвести по точкам для дошкольников

Соединить по точкам

Рисование по контуру для детей

Рисование по точкам

Рисование по точкам

Рисование по точкам

Обведи по точкам

Раскраска. Солнышко

Рисование по точкам

Рисование цветов по точкам

Раскраска дорисуй

Цветы обвести по точкам

Рисование по точкам

Обвести по контуру для детей 5 лет

Трафареты для обводки

Точечное рисование для детей

Рисование по точкам для малышей

Рисование по точкам для дошкольников

Раскраски обводилки

Рисование по точкам

Обводить животных по точкам детям

Машинки по точкам

Морские животные по точкам

Рисунок точками

Рисование по контуру для детей

Раскраска по точкам

Раскраска по точкам

Рисование по точкам человечек

Раскрашивание по точкам для детей

Рисование мандалы по точкам

Соединить по цифрам

Машина по точкам для детей

Насекомые по точкам для дошкольников

Рисование точками для детей

Соединять точки для детей

Трафареты для ниткографии для детей

Обводилки для малышей 2-3 лет

Принцесса по точкам

Фрукты по точкам

Точечное рисование для детей

Точечная роспись по стеклу трафареты

Раскраски обводилки по цифрам

Соединение по точкам для детей

Ребенок обводит по контуру

Лошадь по точкам

Обводить для моторики для детей

Обводить животных по точкам детям

Рисование по точкам для дошкольников

Рисование по точкам

Рисование по точкам для девочек

Раскраски обводилки по цифрам

Соедини по цифрам машина

Обводки для детей 5 лет

Обвести картинку по цифрам

Обводилки для детей

Обводки для малышей

Обводки для детей 4 лет

Бабочка обводка

Рисование цветов по точкам

Обводки по трафарету для детей

Рисование по точкам цветы

Соединить по точкам

Раскраска по точкам

Раскраски обводилки по цифрам

Рисование по точкам

Задания для дошкольников обвести по точкам

Соединить по точкам

Обвести картинку по цифрам

Рисование по точкам для детей

Рисование по точкам для детей

Трафаретная литография ‒ LMIS1 ‐ EPFL

Наша цель состоит в том, чтобы раздвинуть границы нанесения рисунка на поверхность теневой маски для достижения более мелких структур (> 50 нм) и масштабирования до более крупных подложек. Мы стремимся найти решения таких проблем, как засорение апертуры, размытие, вызванное зазором, и поверхностная диффузия. Далее мы разрабатываем так называемый инструмент динамического трафарета, в котором теневая маска перемещается относительно подложки.

Трафаретная литография

Трафарет изготовлен и совмещен с подложкой Подложка и трафарет помещаются в испаритель Трафарет снимается, остается узорчатая подложка

Трафаретная литография — это метод теневой маски с высоким разрешением, используемый для структурирования поверхностей в микро- и нанометровом масштабе. Это одноэтапный метод, исключающий этапы обработки, связанные с резистом, которые обычно используются в стандартной литографии. Трафарет (мембрана с отверстиями) помещается (при необходимости выравнивается) и прижимается к подложке. Зажатый набор помещается в испаритель, и материал наносится через отверстия трафарета на подложку.

Трафаретная литография применяется для осаждения, травления и имплантации.

Динамическая литография трафарета состоит из движения трафарета относительно подложки во время осаждения или между этапами осаждения. Это позволяет производить на месте многослойные микро- и наноструктуры из нескольких материалов.

Ключевые слова : трафарет, трафаретная литография

Публикации

Трафарет Nanobridge, позволяющий создавать тонкие металлические пленки произвольной формы с высоким разрешением на различных подложках

Y-C. Солнце; Г. Боэро; J. Brugger 

Advanced Materials Technologies . 2022-12-04. DOI: 10.1002/admt.202201119.

Подробная запись

Посмотреть у издателя

Растяжимые проводники, изготовленные трафаретной литографией и центробежным силовым моделированием жидкого металла

Y-C. Солнце; Г. Боэро; J. Brugger 

ACS Applied Electronic Materials . 2021-11-29. Том. 3, номер. 12, с. 5423–5432. DOI: 10.1021/acsaelm.1c00884.

Рост двумерных массивов MoS2 большой площади в заранее определенных местах с использованием литографии с трафаретной маской

И. Шарма; Ю. Батра; В. Флоро; Дж. Брюггер; Б. Р. Мехта 

Журнал нанонауки и нанотехнологий . 01.03.2018. Том. 18, номер. 3, с. 1824-1832 гг. DOI: 10.1166/jnn.2018.14265.

Выращивание тонких пленок органических полупроводников с многомикронным размером домена и изготовление органических транзисторов с использованием трафаретного наносита

П. Фесенко; В. Флоро; С. Се; Э. Канг; Т. Уэмура и соавт.

Прикладные материалы и интерфейсы ACS . 2017. Том. 9, номер. 28, с. 23314–23318. DOI: 10.1021/acsami.7b06584.

Массивы монокристаллов пентацена методом трафаретного испарения

П. Фесенко; В. Флоро; С. Се; Дж. Брюггер; J. Genoe и соавт.

Рост и дизайн кристаллов . 2016. Том. 16, с. 4694−4700. DOI: 10.1021/acs.cgd.6b00765.

Изучение наноразмерных электрических свойств устройства памяти с гибридным интерфейсом на основе CuO-графена с помощью кондуктивной атомно-силовой микроскопии

Б. Сингх; Б. Мехта; Д. Варандани; А. В. Саву; J. Brugger 

Журнал нанонауки и нанотехнологий . 2016. Том. 16, номер. 4, с. 4044-4051. DOI: 10.1166/jnn.2016.10713.

Подробная запись

Посмотреть в издательстве

Крупномасштабные массивы наноапертурных антенн Bowtie для наноразмерной динамики в мембранах живых клеток

В. Флоро; Т. С. ван Зантен; М. Мивель; К. Манзо; М. Ф. Гарсия Парахо и др.

Нанобуквы . 2015. Том. 15, номер. 6, с. 4176-4182. DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b01335.

Изготовление сложных оксидных микроструктур методом комбинаторного химического осаждения из паровой фазы через трафареты

E. Wagner; К. С. Санду; С. Харада; Г. Бенвенути; В. Саву и соавт.

Тонкие твердые пленки . 2015. Том. 586, с. 64-69. DOI: 10.1016/j.tsf.2015.04.021.

Подробная запись

Просмотр в издательстве

Селективный рост площади и трафаретная литография для квантовых устройств, изготовленных на месте

  • Артикул
  • Опубликовано:
  • Петер Шюффельген
    ORCID: orcid.org/0000-0001-7977-7848 1,2 na1 ,
  • Даниэль Розенбах 1,2 na1 ,

    • 3 Li

  • Чуань
  • Тобиас В. Шмитт 1,4 ,
  • Михаэль Шленфойгт 1 ,
  • Абдур Р. Джалил 1 ,
  • Сара Шмитт 1 ,
  • Йонас Кёльцер 1 ,
  • Бенджа Ванг 12 5 9013 мин Беннеманн 1 ,
  • Умут Парлак 1 ,
  • Лидия Кибкало 1 ,
  • Стефан Трелленкамп 6 ,
  • Томас Грэп 7 ,
  • Дорис Меертенс 1 59093 4 , 59093 0126 Мартина Луйсберг
    ORCID: orcid. org/0000-0002-5613-7570 1 ,
  • Грегор Мюсслер 1,2 ,
  • Эрвин Береншот 3 ,
  • Нильс Тас 3 ,

    • 9012 Александр Голубов
    ORCID: orcid.org/0000-0001-5085-5195 3 ,

  • Александр Бринкман 3 ,
  • Томас Шеперс 1,2 &
  • Грютхермалев

    5 …

    4 …

    4 1,2  

Природа Нанотехнологии
том 14 , страницы 825–831 (2019)Процитировать эту статью

  • 8427 Доступ

  • 56 цитирований

  • 26 Альтметрический

  • Сведения о показателях

Субъекты

  • Квантовая информация
  • Сверхпроводящие устройства
  • Поверхности, интерфейсы и тонкие пленки
  • Топологические изоляторы
  • Топологическая материя

Abstract

Взаимодействие физики Дирака и индуцированной сверхпроводимости на границе трехмерного топологического изолятора (TI) с s-волновым сверхпроводником (S) обеспечивает новую платформу для топологически защищенных квантовых вычислений, основанных на неуловимых майорановских модах. Чтобы использовать такие гибридные устройства S-TI в будущих архитектурах топологических квантовых вычислений, требуется процесс, позволяющий производить устройства в условиях сверхвысокого вакуума. Здесь мы сообщаем о селективном росте площади (Bi,Sb) 2 Te 3 Тонкие пленки TI и трафаретная литография сверхпроводящего Nb для полного изготовления на месте гибридных устройств S-TI методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве последнего шага был нанесен диэлектрический покрывающий слой для защиты хрупких поверхностей гибридов S-TI в условиях окружающей среды. Транспортные эксперименты в готовых джозефсоновских переходах показывают очень прозрачные интерфейсы S – TI и отсутствие первого шага Шапиро, что указывает на наличие майорановских связанных состояний. Чтобы перейти от одиночных переходов к сложным схемам для будущих архитектур топологических квантовых вычислений, мы монолитно интегрировали две выровненные жесткие маски в подложку перед ростом. Представленный процесс предоставляет новые возможности для преднамеренного объединения тонких квантовых материалов на месте в наномасштабе.

Это предварительный просмотр содержимого подписки, доступ через ваше учреждение

Соответствующие статьи

Статьи открытого доступа со ссылками на эту статью.

  • Микроволновая спектроскопия андреевских состояний в гибридных переходах на основе нанопроволок InAs с использованием компоновки флип-чипа

    • Патрик Зеллекенс
    • , Рассел С. Дикон
    •  … Коджи Исибаши

    Физика коммуникаций
    Открытый доступ
    31 октября 2022 г.

  • Невзаимный перенос заряда в гетероструктуре кандидата в топологические сверхпроводники Bi2Te3/PdTe2

    • Макото Масуко
    • , Минору Кавамура
    •  … Ёсинори Токура

    npj Квантовые материалы
    Открытый доступ
    30 октября 2022 г.

  • Индуцированная близостью сверхпроводимость в нанопроволоках топологического изолятора (Bi1−xSbx)2Te3

    • Мэнмэн Бай
    • , Сянь-Куй Вэй
    •  … Ёити Андо

    Материалы для связи
    Открытый доступ
    12 апреля 2022 г.

Варианты доступа

Подпишитесь на этот журнал

Получите 12 печатных выпусков и онлайн-доступ

269,00 € в год

всего 22,42 € за выпуск

Узнать больше

Взять напрокат или купить эту статью

Получите только этот товар столько, сколько вам нужно

$39,95

Узнать больше

Цены могут облагаться местными налогами, которые рассчитываются при оформлении заказа

Рис. 1: Схема перекрестка S–TI–S. Рис. 2: JJ, изготовленные на месте. Рис.3: Зависимость отклика Шапиро устройства 1 от частоты при Тл  = 1,5 К Рис.4: Для применения трафаретной технологии к сетям наноструктур рост TI должен быть ограничен только выбранными областями . Рис. 5: Комбинированный процесс на месте.

Доступность данных

Данные, подтверждающие графики в этой статье и другие результаты этого исследования, можно получить у соответствующего автора по обоснованному запросу.

Ссылки

  1. König, M. et al. Состояние холловского изолятора квантового спина в квантовых ямах HgTe. Наука 318 , 766–770 (2007).

    Артикул

    Google Scholar

  2. «>

    Фу, Л., Кейн, К.Л. и Меле, Э.Дж. Топологические изоляторы в трех измерениях. Физ. Преподобный Летт. 98 , 106803 (2007 г.).

    Артикул

    Google Scholar

  3. Hsieh, D. et al. Наблюдение нетрадиционных квантовых спиновых текстур в топологических изоляторах. Наука 323 , 919–922 (2009).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  4. Zhang, H. et al. Топологические изоляторы из Bi 2 Se 3 , Bi 2 Te 3 и Sb 2 Te 3 с одиночным конусом Дирака на поверхности. Нац. физ. 5 , 438–442 (2009).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  5. Фу, Л. и Кейн, К.Л. Сверхпроводящий эффект близости и майорановские фермионы на поверхности топологического изолятора. Физ. Преподобный Летт. 100 , 096407 (2008 г.).

    Артикул

    Google Scholar

  6. Кук, А. и Франц, М. Фермионы Майорана в нанопроволоке топологического изолятора, тесно связанной со сверхпроводником s-волны. Физ. Ред. В. 84 , 201105 (2011).

    Артикул

    Google Scholar

  7. Кук, А., Вазифе, М. М. и Франц, М. Стабильность майорановских фермионов в нанопроволоках топологического изолятора с близкой связью. Физ. B 86 , 155431 (2012).

    Артикул

    Google Scholar

  8. Манусакис, Дж., Альтланд, А., Багретс, Д., Эггер, Р. и Андо, Ю. Майорана Кубиты в архитектуре нанолент топологического изолятора. Физ. Ред. B 95 , 165424 (2017).

    Артикул

    Google Scholar

  9. «>

    Китаев А. Ю. Неспаренные майорановские фермионы в квантовых нитях. Физ. Усп. 44 , 131–136 (2001).

    Артикул

    Google Scholar

  10. Алиса, Дж. Майорана Фермионы в перестраиваемом полупроводниковом устройстве. Физ. B 81 , 125318 (2010).

    Артикул

    Google Scholar

  11. Китаев А.Ю. Отказоустойчивые квантовые вычисления Anyons. Энн. физ. 303 , 2–30 (2003).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  12. Аасен, Д. и др. Вехи на пути к квантовым вычислениям на базе Majorana. Физ. X 6 , 031016 (2016 г.).

    Google Scholar

  13. Литински Д., Кессельринг М.С., Эйзерт Дж. и фон Оппен Ф. Объединение топологического оборудования и топологического программного обеспечения: квантовые вычисления с цветовым кодом и топологическим сверхпроводником. Сеть. физ. X 7 , 031048 (2017 г.).

    Google Scholar

  14. Алиса Дж., Орег Ю., Рафаэль Г., Фон Оппен Ф. и Фишер М. П. Неабелева статистика и обработка топологической квантовой информации в одномерных проводных сетях. Нац. физ. 7 , 412–417 (2011).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  15. Hyart, T. et al. Квантовые вычисления с управлением потоком на майорановских фермионах. Физ. Ред. B 88 , 035121 (2013).

    Артикул

    Google Scholar

  16. ван Хек, Б., Ахмеров, А.Р., Хасслер, Ф., Баррелло, М. и Бинаккер, К.В.Дж. Сплетение майорановских фермионов с помощью Кулона в массиве джозефсоновских контактов. New J. Phys. 14 , 035019 (2012 г.).

    Артикул

    Google Scholar

  17. «>

    Джозефсон Б.Д. Возможные новые эффекты в сверхпроводящем туннелировании. Физ. лат. 1 , 251–253 (1962).

    Артикул

    Google Scholar

  18. Голубов А. А., Куприянов М. Ю., Ильичев Е. Соотношение ток-фаза в джозефсоновских контактах. Ред. Мод. физ. 76 , 411–469 (2004).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  19. Домингес, Ф. и др. Динамика джозефсоновского перехода в присутствии 2 π и 4 π -периодические сверхтоки. Физ. Ред. B 95 , 195430 (2017).

    Артикул

    Google Scholar

  20. Фу Л. Телепортация электронов через связанные состояния Майораны в мезоскопическом сверхпроводнике. Физ. Преподобный Летт. 104 , 056402 (2010 г.).

    Артикул

    Google Scholar

  21. «>

    Ле Кальвес, К. и др. Джоулев перегрев отравляет дробный переменный эффект Джозефсона в топологических переходах Джозефсона. Комм. физ. 2 , 4 (2019).

    Артикул

    Google Scholar

  22. Bocquillon, E. et al. Бесщелевые андреевские связанные состояния в квантовом спиновом холловском изоляторе HgTe. Нац. нанотехнологии. 12 , 137–143 (2017).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  23. Wiedenmann, J. et al. 4 π -периодический сверхток Джозефсона в топологических контактах Джозефсона на основе HgTe. Нац. ком. 7 , 10303 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  24. Li, C. et al. 4 π -периодические андреевские связанные состояния в дираковском полуметалле. Нац. Матер. 17 , 875–880 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  25. Домингес Ф., Хасслер Ф. и Платеро Г. Динамическое обнаружение майорановских фермионов в нанопроволоках с током. Физ. B 86 , 140503 (2012).

    Артикул

    Google Scholar

  26. Нгабонзиза, П. и др. In situ спектроскопия тонких пленок собственного топологического изолятора Bi 2 Te 3 и воздействие внешних дефектов. Физ. Ред. B 92 , 035405 (2015).

    Артикул

    Google Scholar

  27. Thomas, C.R. et al. Поверхностное окисление Bi 2 (Te,Se) 3 топологические изоляторы зависит от точности спайности. Хим. Матер. 28 , 35–39 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  28. «>

    Benia, H.M., Lin, C., Kern, K. & Ast, C.R. Реактивное химическое легирование топологического изолятора Bi 2 Se 3 . Физ. Преподобный Летт. 107 , 177602 (2011).

    Артикул

    Google Scholar

  29. Ланг, М. Р. и др. Выявление топологических поверхностных состояний в тонких пленках Bi 2 Se 3 методом пассивации Al in situ. ACS Nano 6 , 295–302 (2012).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  30. Нгабонзиза, П. и др. Перестраиваемые транспортные свойства тонких пленок топологического изолятора Bi 2 Te 3 с покрытием in situ. Доп. Электронный Матер. 2 , 1600157 (2016).

    Артикул

    Google Scholar

  31. Schüffelgen, P. et al. Признаки индуцированной сверхпроводимости в топологических гетероструктурах, покрытых AlO x . Твердотельный электрон. 155 , 111–116 (2019).

    Артикул

    Google Scholar

  32. Kampmeier, J. et al. Селективный рост площади Bi 2 Te 3 и Sb 2 Te 3 тонкие пленки топологического изолятора. Дж. Кристалл. Рост 443 , 38–42 (2016).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  33. Кристиан В. и др. Фазово-когерентный транспорт в селективно выращенных наноточках топологического изолятора. Нанотехнологии 30 , 055201 (2019).

    Артикул

    Google Scholar

  34. Bohg, A. & Gaind, A.K. Влияние напряжения пленки и термического окисления на образование дислокаций в кремнии. Заяв. физ. лат. 33 , 895–897 (1978).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  35. «>

    Мурс, К. и др. Магнитотранспортные сигнатуры трехмерных наноструктур топологического изолятора. Физ. Ред. B 97 , 245429 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  36. Гатак С. и др. Аномальные фраунгоферовы паттерны в закрытых джозефсоновских контактах на основе объемно-изолирующего топологического изолятора BiSbTeSe 2 . Нано Летт. 18 , 5124–5131 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  37. van Woerkom, D.J., Geresdi, A. & Kouwenhoven, LP. Одна минута срока службы по четности NbTiN-транзистора с куперовской парой. Нац. физ. 11 , 547–550 (2015).

    Артикул

    Google Scholar

  38. Schüffelgen, P. et al. Трафаретная литография сверхпроводящих контактов на тонких пленках топологического изолятора, выращенных методом МЛЭ. Дж. Кристалл. Рост 477 , 183–187 (2017).

    Артикул

    Google Scholar

  39. Desplanque, L., Bucamp, A., Troadec, D., Patriarche, G. & Wallart, X. Плоские нанопроволоки InSb, выращенные методом селективной молекулярно-лучевой эпитаксии на полуизолирующей подложке. Нанотехнологии 29 , 305705 (2018).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  40. Асеев П. и др. Карта селективности для молекулярно-лучевой эпитаксии усовершенствованных сетей квантовых нанопроволок III–V. Нано Летт. 19 , 218–227 (2019).

    Артикул
    КАС

    Google Scholar

  41. Krizek, F. et al. Усиление полевого эффекта в буферизованных сетях квантовых нанопроволок. Физ. Преподобный мат. 2 , 093401 (2018).

    КАС

    Google Scholar

  42. «>

    Kampmeier, J. et al. Подавление двойниковых доменов в тонких пленках топологического изолятора, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Bi 2 Te 3 . Кристалл. Рост Des. 15 , 390–394 (2016).

    Артикул

    Google Scholar

  43. Kellner, J. et al. Настройка точки Дирака на уровень Ферми в тройном топологическом изоляторе (Bi 1– x Sb x ) 2 Te 3 . Заяв. физ. лат. 107 , 251603 (2015).

    Артикул

    Google Scholar

  44. Ковач А., Ширхольц Р. и Тилманн К. FEI Titan G2 80-200 CREWLEY. J. Крупномасштабные рез. Фасил. 2 , А43 (2016).

    Артикул

    Google Scholar

Ссылки на скачивание

Благодарности

А. Брагински и Ф. Хасслер выражают признательность за полезные обсуждения. М. Гейтнер и К.-Х. Deussen получили признание за нанесение слоев Si 3 N 4 и SiO 2 . Авторы благодарят Г. Нагду и К. Била за корректуру рукописи. Эта работа поддерживается Немецким научным фондом (DFG) в рамках приоритетной программы SPP1666 «Топологические изоляторы», а также Ассоциацией Гельмгольца через «Виртуальный институт топологических изоляторов» и проект IVF «Масштабируемые твердотельные квантовые вычисления».

Информация об авторе

Примечания автора

  1. Эти авторы внесли равный вклад: Peter Schüffelgen, Daniel Rosenbach.

Авторы и организации

  1. Институт Петера Грюнберга, Исследовательский центр Юлих и JARA Юлих-Аахенский исследовательский альянс, Юлих, Германия Абдур Р. Джалил, Сара Шмитт, Йонас Кёльцер, Бенджамин Беннеманн, Умут Парлак, Лидия Кибкало, Дорис Мертенс, Мартина Луйсберг, Грегор Мюсслер, Томас Шеперс и Детлев Грюцмахер

  2. Виртуальный институт топологических изоляторов им. Гельмгольца (VITI), Исследовательский центр Юлих, Юлих, Германия

    Петер Шюффельген, Даниэль Розенбах, Менг Ван, Грегор Мюсслер, Томас Шеперс и Детлев Грюцмахер

    ME +

    9012 9012 ME +

    9012 Институт Университета Твенте, Энсхеде, Нидерланды

    Чуан Ли, Эрвин Береншот, Нильс Тас, Александр А. Голубов и Александр Бринкман

  3. JARA-FIT Institute Green IT, RWTH Aachen University, Ахен, Германия

    Tobias W. Schmitt

  4. Государственная ключевая лаборатория функциональных материалов для информатики, Шанхайский институт микросистем и информационных технологий, Китайская академия наук, Шанхай, Китай , Германия

    Штефан Трелленкамп

  5. Институт полупроводниковой электроники, Рейнско-Вестфальский технический университет Ахена, Ахен, Германия

    Томас Грап

    6. Авторы

    1. Peter Schüffelgen

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    2. Daniel Rosenbach

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    3. Chuan Li

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Академия

    4. Тобиас В. Шмитт

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    5. Michael Schleenvoigt

      Посмотреть публикации автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    6. Абдур Р. Джалил

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Академия

    7. Сара Шмитт

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    8. Jonas Kölzer

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    9. Meng Wang

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    10. Бенджамин Беннеманн

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    11. Umut Parlak

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    12. Лидия Кибкало

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    13. Stefan Trellenkamp

      Посмотреть публикации автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    14. Thomas Grap

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    15. Doris Meertens

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    16. Martina Luysberg

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Академия

    17. Gregor Mussler

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    18. Erwin Berenschot

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    19. Niels Tas

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    20. Голубов Александр Александрович

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    21. Александр Бринкман

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    22. Thomas Schäpers

      Просмотр публикаций автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    23. Detlev Grützmacher

      Посмотреть публикации автора

      Вы также можете искать этого автора в
      PubMed Google Scholar

    Вклады

    PS, DR, TWS, M. S. и Э.Б. Изготовление подложек в чистой комнате. С.Т. выполнил электронно-лучевую литографию. P.S., M.S., ARJ, S.S., M.W. и G.M. выращивал тонкие пленки TI с помощью MBE. BB вырастил сверхпроводящий Nb. ВВЕРХ. закрыл образец стехиометрическим Al 2 O 3 . P.S., Д.Р., К.Л. и T.W.S. выполнил измерения электрического транспорта на устройствах Джозефсона. Д.Р. и Дж.К. исследовал магнитотранспорт на стержнях Холла. Т.Г. снял трафаретную маску механической полировкой. Л.К., Д.М. и М.Л. подготовили ламели сфокусированного ионного пучка и выполнили измерения с помощью сканирующей просвечивающей электронной микроскопии с высоким разрешением. А.Б. и А.А.Г. выполнили примерку по Эйленбергеру и Узаделу. P.S., Д.Р. и А.Б. написал статью с участием всех соавторов. P.S. инициировал проект, которым руководили Н.Т., А.А.Г., А.Б., Т.С. и Д.Г.

    Автор, ответственный за переписку

    Переписка с
    Питер Шюффельген.

    Заявление об этике

    Конкурирующие интересы

    Авторы не заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

    Дополнительная информация

    Информация для рецензирования: Nature Nanotechnology благодарит Торстена Карцига и других анонимных рецензентов за их вклад в рецензирование этой работы.

    Примечание издателя: Springer Nature остается нейтральной в отношении юрисдикционных претензий в опубликованных картах и ​​институциональной принадлежности.

    Дополнительная информация

    Дополнительная информация

    Дополнительная информация Рис. 1–8 и дополнительную таблицу 1.

    Права и разрешения

    Перепечатка и разрешения

    Об этой статье

    Эта статья цитируется

    • Невзаимный перенос заряда в гетероструктуре кандидата в топологические сверхпроводники Bi2Te3/PdTe2

      • Макото Масуко
      • Минору Кавамура
      • Ёсинори Токура

      нпдж Квантовые материалы (2022)

    • Индуцированная близостью сверхпроводимость в нанопроволоках топологического изолятора (Bi1−xSbx)2Te3

      • Мэнмэн Бай
      • Сиань-Куй Вэй
      • Ёити Андо

      Материалы для связи (2022)

    • Микроволновая спектроскопия андреевских состояний в гибридных переходах на основе нанопроволок InAs с использованием компоновки флип-чипа